RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Porównaj
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB vs Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Wynik ogólny
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Wynik ogólny
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
10.9
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
49
50
Wokół strony -2% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.7
1,457.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
50
49
Prędkość odczytu, GB/s
3,757.3
10.9
Prędkość zapisu, GB/s
1,457.4
8.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
557
2427
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 99P5316-014.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
SK Hynix HMT41GS6AFR8A-PB 8GB
Kingston KHX2933C17S4/16G 16GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZKW 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZSK 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Apacer Technology GD2.1527WH.002 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Crucial Technology BLS4G4S240FSD.M8FADM 4GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Corsair CMT32GX4M4K3600C16 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GTZR 32GB
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Kingston KDK8NX-MIE 16GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-4400C19-32GVK 32GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-2666C15-4GRR 4GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKW 16GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/8G 8GB
Crucial Technology BLS16G4D30AESC.M16FE 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link