RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Samsung M471A2K43CB1-CRC 16GB
Porównaj
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB vs Samsung M471A2K43CB1-CRC 16GB
Wynik ogólny
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Wynik ogólny
Samsung M471A2K43CB1-CRC 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
13.8
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Samsung M471A2K43CB1-CRC 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
38
50
Wokół strony -32% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.1
1,457.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
6400
Wokół strony 3 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Samsung M471A2K43CB1-CRC 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
50
38
Prędkość odczytu, GB/s
3,757.3
13.8
Prędkość zapisu, GB/s
1,457.4
9.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
19200
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
557
2404
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 99P5316-014.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Samsung M471A2K43CB1-CRC 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMD32GX4M4C3200C16-R 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FH 16GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Corsair CMSX32GX4M1A2666C18 32GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Transcend Information JM2666HSB-16G 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology BLT16G4D26BFT4.C16FD 16GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Dust Leopard DDR4-2400 C17 4GB 4GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-32GVK 32GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GSXWB 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Corsair CM4X16GE2933C19S2 16MB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C8FB 16GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FE 8GB
Transcend Information TS512MSK64W6H 4GB
Kingston KHX3600C18D4/16GX 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C4FE 8GB
Corsair CM5S16GM4800A40N2 16GB
Shenzen Recadata Storage Technology 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link