RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
SK Hynix GKE800SO51208-2133AH 8GB
Porównaj
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB vs SK Hynix GKE800SO51208-2133AH 8GB
Wynik ogólny
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Wynik ogólny
SK Hynix GKE800SO51208-2133AH 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
14
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
SK Hynix GKE800SO51208-2133AH 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
50
Wokół strony -92% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.4
1,457.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
SK Hynix GKE800SO51208-2133AH 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
50
26
Prędkość odczytu, GB/s
3,757.3
14.0
Prędkość zapisu, GB/s
1,457.4
8.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
557
2163
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 99P5316-014.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
SK Hynix GKE800SO51208-2133AH 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B5170EH1-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTRSB 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
EXCELERAM D48G8G8H8SS9CJRB22 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Kingston 99U5643-001.A00G 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CM4B8G1L2666A18S4 8GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-XN 16GB
Samsung M471A2K43EB1-CTD 16GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3H1 8GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCSJ 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Gloway International Co. Ltd. STK4U2400D17082C 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Kingston HP26D4U9D8HC-16X 16GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Kingston HX432C15PB3/16G 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M4FE 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Team Group Inc. DDR4 3600 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2133C10 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY2400D464L15/8G 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link