RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Porównaj
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB vs Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Wynik ogólny
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Wynik ogólny
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
37
39
Wokół strony -5% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16
14.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.6
8.7
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
39
37
Prędkość odczytu, GB/s
14.3
16.0
Prędkość zapisu, GB/s
8.7
12.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2376
2808
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB Porównanie pamięci RAM
PNY Electronics 4GBH1X04F1AA28-15 4GB
Kingston KYXC0V-MIB 16GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GFXR 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Kingston KHX3200C20S4/16GX 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3600C18A 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BLE8G4D36BEEAK.M8FE3 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
A-DATA Technology AO1P32MC8T1-BW3S 8GB
Crucial Technology BLT8G3D1608DT1TX0. 8GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMU64GX4M4D3000C16 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Corsair CMT32GX4M4Z3200C16 8GB
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FF 4GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Samsung M471A5143EB0-CPB 4GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Tanbassh 8G 2666MHZ 8GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS6266.M4FB 8GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Corsair CMZ32GX3M4A1866C9 8GB
Kingston KMKYF9-HYA 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link