RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3200 8GB
Porównaj
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB vs Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3200 8GB
Wynik ogólny
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Wynik ogólny
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3200 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3200 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
18
39
Wokół strony -117% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
20.5
14.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
16.2
8.7
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3200 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
39
18
Prędkość odczytu, GB/s
14.3
20.5
Prędkość zapisu, GB/s
8.7
16.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2376
3564
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB Porównanie pamięci RAM
PNY Electronics 4GBH1X04F1AA28-15 4GB
Kingston KYXC0V-MIB 16GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3200 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Kingmax Semiconductor GLLF62F-D8---------- 4GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Smart Modular SF4722G4CKHH6DFSDS 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZ 8GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3200 8GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Kingston KHX2133C13D4/4GX 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Samsung M471A5143DB0-CPB 4GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Kingston X75V1H-MIE 32GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Corsair CM4X16GE2400Z16K4 16GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Carry Technology Co. Ltd. 4DCC3IOGE-MATP 8GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8C-RD 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4400C19A 8GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3200D 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Crucial Technology BL8G36C16U4BL.M8FE1 8GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRK 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSXKB 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link