RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Transcend Information TS256MLK64V3N 2GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A1 8GB
Porównaj
Transcend Information TS256MLK64V3N 2GB vs Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A1 8GB
Wynik ogólny
Transcend Information TS256MLK64V3N 2GB
Wynik ogólny
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A1 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Transcend Information TS256MLK64V3N 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A1 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
42
67
Wokół strony -60% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
12.7
6.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.2
5.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Transcend Information TS256MLK64V3N 2GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A1 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
67
42
Prędkość odczytu, GB/s
6.4
12.7
Prędkość zapisu, GB/s
5.0
10.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1279
2701
Transcend Information TS256MLK64V3N 2GB Porównanie pamięci RAM
Patriot Memory (PDP Systems) PSD32G13332 2GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A1 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Transcend Information TS256MLK64V3N 2GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
JUHOR JHD2666U1908JG 8GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1A2 4GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR32C16S8K2HU416R 8GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Shenzen Recadata Storage Technology 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
A-DATA Technology AM1P26KC4U1-BACS 4GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GVK 8GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C17 Series 4GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FHD 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Samsung M391A1K43BB1-CRC 8GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Super Talent F24EB8GS 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Apacer Technology GD2.1831WS.001 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Crucial Technology BL16G36C16U4BL.M16FE 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link