RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Transcend Information TS512MSK64W6H 4GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSC.16FAD 16GB
Porównaj
Transcend Information TS512MSK64W6H 4GB vs Crucial Technology BLS16G4D240FSC.16FAD 16GB
Wynik ogólny
Transcend Information TS512MSK64W6H 4GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLS16G4D240FSC.16FAD 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Transcend Information TS512MSK64W6H 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
33
Wokół strony 12% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLS16G4D240FSC.16FAD 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.9
12.1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.9
8.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Transcend Information TS512MSK64W6H 4GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSC.16FAD 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
29
33
Prędkość odczytu, GB/s
12.1
15.9
Prędkość zapisu, GB/s
8.0
11.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1989
3052
Transcend Information TS512MSK64W6H 4GB Porównanie pamięci RAM
AMD R538G1601U2S 8GB
Kingston 9905734-003.A00G 32GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSC.16FAD 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2E1 4GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-4600C18-8GTRS 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Kingston 9905711-038.A00G 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Kingston 9905734-022.A00G 16GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Team Group Inc. Team-Elite-2133 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology BL16G26C16U4B.16FD 16GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4W.M8FE1 8GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Kingmax Semiconductor GSLG42F-18---------- 8GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Kingston 9905700-017.A00G 8GB
Micron Technology 16HTF25664HY-800J2 2GB
Corsair CMR16GX4M2D3000C16 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-DA---------- 8GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FB 4GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
G Skill Intl F4-5066C20-8GVK 8GB
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVRB 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link