RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Advantech Co Ltd SQR-SD4N8G2K6SNBCB 8GB
Porównaj
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB vs Advantech Co Ltd SQR-SD4N8G2K6SNBCB 8GB
Wynik ogólny
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Wynik ogólny
Advantech Co Ltd SQR-SD4N8G2K6SNBCB 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
16.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
870.4
13.9
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Advantech Co Ltd SQR-SD4N8G2K6SNBCB 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
31
87
Wokół strony -181% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
5300
Wokół strony 4.02 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Advantech Co Ltd SQR-SD4N8G2K6SNBCB 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
87
31
Prędkość odczytu, GB/s
3,155.6
16.7
Prędkość zapisu, GB/s
870.4
13.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
21300
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
417
3168
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS1GB264D083805EV 1GB
Ramaxel Technology RML1520AG38D6F-667 512MB
Advantech Co Ltd SQR-SD4N8G2K6SNBCB 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
A-DATA Technology AO1P24HC4N2-BYNS 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-WM 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FBD 16GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4133 C19 Series 8GB
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRR 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Kingston 9965669-018.A00G 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CM4B8G4J2400A16K2-ON 8GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Corsair CMSX64GX4M2A2933C19 32GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GTZR 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
A-DATA Technology AM2P24HC8T1-BUSS 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-3G2J1 4GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS632A.M4FE 8GB
Kingston KTC1G-UDIMM 1GB
Apacer Technology 78.B1GM3.AF00B 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-4000C17-8GVKB 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link