RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 8GB 8GB
Porównaj
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB vs Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 8GB 8GB
Wynik ogólny
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Wynik ogólny
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 8GB 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
15.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
870.4
10.4
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 8GB 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
30
87
Wokół strony -190% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
5300
Wokół strony 3.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 8GB 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
87
30
Prędkość odczytu, GB/s
3,155.6
15.6
Prędkość zapisu, GB/s
870.4
10.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
17000
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 12 14 15
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
417
2688
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS1GB264D083805EV 1GB
Ramaxel Technology RML1520AG38D6F-667 512MB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 8GB 8GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 8GB 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FE 4GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Corsair CMK128GX4M8A2133C13 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston KHX2133C13D4/4GX 4GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GVS 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FF 4GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
G Skill Intl F4-4266C17-16GVKB 16GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FN 16GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Mushkin 99[2/7/4]197F 8GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
DSL Memory D4SS1G081SH24A-A 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS832A.C8FE 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Mushkin 99[2/7/4]205F 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3600C16-32GVK 32GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Boya Microelectronics Inc. AM52SE22G64AP-RQ 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link