RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CMU64GX4M4D3000C16 16GB
Porównaj
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB vs Corsair CMU64GX4M4D3000C16 16GB
Wynik ogólny
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Wynik ogólny
Corsair CMU64GX4M4D3000C16 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
15.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
870.4
12.9
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Corsair CMU64GX4M4D3000C16 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
45
87
Wokół strony -93% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
5300
Wokół strony 3.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CMU64GX4M4D3000C16 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
87
45
Prędkość odczytu, GB/s
3,155.6
15.6
Prędkość zapisu, GB/s
870.4
12.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
17000
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
417
3297
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS1GB264D083805EV 1GB
Ramaxel Technology RML1520AG38D6F-667 512MB
Corsair CMU64GX4M4D3000C16 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G21332 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Gloway International (HK) STK2133C15-8GB 8GB
AENEON AET760UD00-370B97X 1GB
A-DATA Technology AD5U48008G-B 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GRSB 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GVR 8GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Kingston KHX2133C13S4/16G 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTZKK 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Samsung M378A1K43CB2-CTD 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
G Skill Intl F4-3200C22-8GRS 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GVB 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6CJR8N
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZB 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Apacer Technology 78.CAGPP.ARC0B 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.K8FB 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link