RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FAD 16GB
Porównaj
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB vs Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FAD 16GB
Wynik ogólny
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FAD 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
16.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
870.4
10.7
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FAD 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
33
87
Wokół strony -164% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
5300
Wokół strony 3.62 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FAD 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
87
33
Prędkość odczytu, GB/s
3,155.6
16.3
Prędkość zapisu, GB/s
870.4
10.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
19200
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
417
2937
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS1GB264D083805EV 1GB
Ramaxel Technology RML1520AG38D6F-667 512MB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FAD 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
SK Hynix HMAA1GU6CJR6N-XN 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTRS 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FE 4GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Kingmax Semiconductor GLLF62F-C6---------- 4GB
Kingston KTC1G-UDIMM 1GB
Corsair CMK16GX4M4B3733C17 4GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GFT 8GB
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GVRB 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston 9905624-033.A00G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMV16GX4M1A2400C16 16GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Kingston K000MD44U 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.M16FB 32GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G213381 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
V-Color Technology Inc. TA48G36S818BN 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Kingston XJV223-MIE 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link