TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB vs G Skill Intl F4-2666C18-4GFX 4GB

Wynik ogólny

TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB

TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB

Wynik ogólny

G Skill Intl F4-2666C18-4GFX 4GB

G Skill Intl F4-2666C18-4GFX 4GB

Różnice Specyfikacje Uwagi

Różnice

TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB

Powody do rozważenia
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB

Większa szybkość odczytu, GB/s

3 15.4

Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s

870.4 8.6

Średnia wartość w badaniach

G Skill Intl F4-2666C18-4GFX 4GB

Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-2666C18-4GFX 4GB

Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns

74 87

Wokół strony -18% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps

21300 5300

Wokół strony 4.02 większa szerokość pasma

Specyfikacje

Pełna lista specyfikacji technicznych

TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB

G Skill Intl F4-2666C18-4GFX 4GB

Główna charakterystyka

Typ pamięci

DDR2 DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns

87 74
Prędkość odczytu, GB/s

3,155.6 15.4
Prędkość zapisu, GB/s

870.4 8.6
Szerokość pasma pamięci, mbps

5300 21300

Other

Opis

PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 11 13 15 17 18
Taktowanie / szybkość zegara

5-5-5-15 / 667 MHz 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)

417 1849

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Najnowsze porównania

Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB

Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB

Samsung M471A1A43DB0-CPB 8GB

Samsung M471A1A43DB0-CPB 8GB

A-DATA Technology DQKD1A08 1GB

A-DATA Technology DQKD1A08 1GB

Crucial Technology CT4G4DFS8213.M8FB 4GB

Crucial Technology CT4G4DFS8213.M8FB 4GB

A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB

A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB

Golden Empire CL15-17-17 D4-2666 8GB

Golden Empire CL15-17-17 D4-2666 8GB

G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB

G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB

Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FN 16GB

Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FN 16GB

PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB

PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB

Kingston 99U5625-015.A00G 16GB

Kingston 99U5625-015.A00G 16GB

PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB

PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB

InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCSJ 4GB

InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCSJ 4GB

Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB

Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB

Mushkin MRA4S320GJJM16G 16GB

Mushkin MRA4S320GJJM16G 16GB

Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB

Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB

Apacer Technology 78.C2GF2.AU00B 8GB

Apacer Technology 78.C2GF2.AU00B 8GB

A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB

A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB

G Skill Intl F4-3200C22-8GRS 8GB

G Skill Intl F4-3200C22-8GRS 8GB

Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB

Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB

Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240082 4GB

Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240082 4GB

Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB

Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB

Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G24002 16GB

Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G24002 16GB

AMD R538G1601U2S-UO 8GB

AMD R538G1601U2S-UO 8GB

G Skill Intl F4-3200C22-16GRS 16GB

G Skill Intl F4-3200C22-16GRS 16GB

A-DATA Technology DQKD1A08 1GB

A-DATA Technology DQKD1A08 1GB

Samsung M471A5143EB0-CPB 4GB

Samsung M471A5143EB0-CPB 4GB

ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB

ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB

Transcend Information JM2666HSB-16G 16GB

Transcend Information JM2666HSB-16G 16GB