RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-32GTZN 32GB
Porównaj
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB vs G Skill Intl F4-3200C16-32GTZN 32GB
Wynik ogólny
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3200C16-32GTZN 32GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
16.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
870.4
13.9
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3200C16-32GTZN 32GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
32
87
Wokół strony -172% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
5300
Wokół strony 4.02 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-32GTZN 32GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
87
32
Prędkość odczytu, GB/s
3,155.6
16.7
Prędkość zapisu, GB/s
870.4
13.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
21300
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
417
3524
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS1GB264D083805EV 1GB
Ramaxel Technology RML1520AG38D6F-667 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-32GTZN 32GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-32GTZN 32GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Kingston 9932291-002.A00G 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9965600-018.A00G 16GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Kingston 9905734-073.A00G 16GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
EXCELERAM EKBLACK4163016AD 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Ramaxel Technology RMSA3260ME78HAF-2666 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO102408-2400 8GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Samsung V-GeN D4S16GL32A8TS 16GB
A-DATA Technology AD5U48008G-B 8GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17161C 16GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
A-DATA Technology AM2P32NC8W1-BCFS 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/8G 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
SpecTek Incorporated 16G2666CL19 16GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Corsair CMD32GX4M4C3200C16 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link