RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-4400C19-32GVK 32GB
Porównaj
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB vs G Skill Intl F4-4400C19-32GVK 32GB
Wynik ogólny
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-4400C19-32GVK 32GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
21.1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
870.4
18.8
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-4400C19-32GVK 32GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
33
87
Wokół strony -164% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
5300
Wokół strony 4.02 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-4400C19-32GVK 32GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
87
33
Prędkość odczytu, GB/s
3,155.6
21.1
Prędkość zapisu, GB/s
870.4
18.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
21300
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, , CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
417
3959
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS1GB264D083805EV 1GB
Ramaxel Technology RML1520AG38D6F-667 512MB
G Skill Intl F4-4400C19-32GVK 32GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology CT8G4SFS632A.C4FE 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HMP125U6EFR8C-S6 2GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B4 32GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
G Skill Intl F4-4800C19-8GTZRC 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Apacer Technology 78.DAGRL.4050C 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-4400C19-32GVK 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
G Skill Intl F4-3000C15-4GTZ 4GB
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
ASint Technology SSZ3128M8-EDJ1D 2GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48MB-24RX 8GB
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240082 4GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.M8FB 16GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZRC 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Kingston 9905703-008.A00G 16GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Kingston KYXC0V-MID 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
V-GEN D4S8GL32A8TS 8GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Kingston KF3600C16D4/16GX 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link