RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19081C 8GB
Porównaj
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB vs Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19081C 8GB
Wynik ogólny
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Wynik ogólny
Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19081C 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
15.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
870.4
7.9
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19081C 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
70
87
Wokół strony -24% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
5300
Wokół strony 4.02 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19081C 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
87
70
Prędkość odczytu, GB/s
3,155.6
15.7
Prędkość zapisu, GB/s
870.4
7.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
21300
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
417
1934
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS1GB264D083805EV 1GB
Ramaxel Technology RML1520AG38D6F-667 512MB
Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19081C 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Micron Technology 18ADF2G72PZ-2G3B1 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19081C 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Crucial Technology BL8G26C16U4W.8FD 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Kingston ACR32D4U2S8HD-8X 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Corsair CMT64GX4M2C3600C18 32GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Samsung M471A2G43AB2-CWE 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Corsair CMSX16GX4M1A2666C18 16GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Kingston KHX4133C19D4/8GX 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMT16GX4M2C3200C14 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E84-3000D 8GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Kingston XK2M26-MIE 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
V-Color Technology Inc. TC48G24S817 8GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
SK Hynix GKE160SO102408-2400 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link