RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6MFR8N-TF 8GB
Porównaj
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6MFR8N-TF 8GB
Wynik ogólny
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6MFR8N-TF 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
13.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
870.4
11.0
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6MFR8N-TF 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
87
Wokół strony -200% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
5300
Wokół strony 3.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6MFR8N-TF 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
87
29
Prędkość odczytu, GB/s
3,155.6
13.8
Prędkość zapisu, GB/s
870.4
11.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
17000
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
417
2690
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS1GB264D083805EV 1GB
Ramaxel Technology RML1520AG38D6F-667 512MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6MFR8N-TF 8GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSB.16FD 16GB
Corsair CMK32GX5M2B5600C36 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO102408-2666A 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Kingston 9965589-008.D02G 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Samsung M391A2K43BB1-CTD 16GB
Kingston KF2666C16D4/8G 8GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKKF 8GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Apacer Technology GD2.1527CS.001 8GB
Apacer Technology 78.A1GA0.9L4 2GB
Samsung M391A2K43BB1-CPB 16GB
G Skill Intl F3-17000CL9-4GBXLD 4GB
Corsair CMK16GX4M2A2800C16 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-3200 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTRS 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Crucial Technology BL32G32C16U4B.M16FB1 32GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSBK.8FD 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link