RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU7MFR8N-TF 16GB
Porównaj
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU7MFR8N-TF 16GB
Wynik ogólny
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU7MFR8N-TF 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
13.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
870.4
6.7
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU7MFR8N-TF 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
23
87
Wokół strony -278% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
5300
Wokół strony 3.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU7MFR8N-TF 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
87
23
Prędkość odczytu, GB/s
3,155.6
13.6
Prędkość zapisu, GB/s
870.4
6.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
17000
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
417
2339
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS1GB264D083805EV 1GB
Ramaxel Technology RML1520AG38D6F-667 512MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU7MFR8N-TF 16GB Porównanie pamięci RAM
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Apacer Technology 78.CAGN7.4000C 8GB
Team Group Inc. ZEUS-2133 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBD2 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Kingston KHX2666C15/16GX 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Kingston KHX3200C16D4/4GX 4GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd MD401GNSE-CB3M2 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Samsung V-GeN D4S8GL32A8TL 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Crucial Technology BL16G32C16U4RL.M16FE 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Samsung M391A1K43BB1-CRC 8GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4000C19A 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Panram International Corporation PUD42400C154GNJW 4GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200S464L22/16G 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Kingston ACR26D4S9D8MD-16 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link