RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Micron Technology AFSD416ES1P 16GB
Porównaj
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB vs Micron Technology AFSD416ES1P 16GB
Wynik ogólny
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Wynik ogólny
Micron Technology AFSD416ES1P 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
14.5
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
870.4
10.7
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Micron Technology AFSD416ES1P 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
87
Wokół strony -248% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
5300
Wokół strony 3.62 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Micron Technology AFSD416ES1P 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
87
25
Prędkość odczytu, GB/s
3,155.6
14.5
Prędkość zapisu, GB/s
870.4
10.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
19200
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
417
2620
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS1GB264D083805EV 1GB
Ramaxel Technology RML1520AG38D6F-667 512MB
Micron Technology AFSD416ES1P 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Corsair CMK128GX4M8A2400C14 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Micron Technology AFSD416ES1P 16GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Inmos + 256MB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FA 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GFX 4GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-WM 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4W.M8FE 8GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3000
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213381 4GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Kingston KHX2400C15D4/16GX 16GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Lexar Co Limited LD4AS008G-H2666GST 8GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Avant Technology J642GU42J5213N2 16GB
A-DATA Technology AO2P32NC8W1-BD3SHC 8GB
Crucial Technology BL16G36C16U4W.M8FB1 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Kingston ACR32D4S2S1ME-8 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link