TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB vs Samsung M378A5244BB0-CRC 4GB

Wynik ogólny

TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB

TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB

Wynik ogólny

Samsung M378A5244BB0-CRC 4GB

Samsung M378A5244BB0-CRC 4GB

Różnice Specyfikacje Uwagi

Różnice

TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB

Powody do rozważenia
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB

Większa szybkość odczytu, GB/s

3 16

Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s

870.4 11.3

Średnia wartość w badaniach

Samsung M378A5244BB0-CRC 4GB

Powody do rozważenia
Samsung M378A5244BB0-CRC 4GB

Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns

28 87

Wokół strony -211% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps

19200 5300

Wokół strony 3.62 większa szerokość pasma

Specyfikacje

Pełna lista specyfikacji technicznych

TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB

Samsung M378A5244BB0-CRC 4GB

Główna charakterystyka

Typ pamięci

DDR2 DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns

87 28
Prędkość odczytu, GB/s

3,155.6 16.0
Prędkość zapisu, GB/s

870.4 11.3
Szerokość pasma pamięci, mbps

5300 19200

Other

Opis

PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara

5-5-5-15 / 667 MHz 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)

417 2436

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Najnowsze porównania

G Skill Intl F4-3600C19-8GSXWB 8GB

G Skill Intl F4-3600C19-8GSXWB 8GB

G Skill Intl F4-4000C16-16GTRSA 16GB

G Skill Intl F4-4000C16-16GTRSA 16GB

Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB

Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB

Kingston KHX3333C16D4/16GX 16GB

Kingston KHX3333C16D4/16GX 16GB

TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB

TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB

Samsung M378A5244BB0-CRC 4GB

Samsung M378A5244BB0-CRC 4GB

Kingston 9905403-444.A00LF 4GB

Kingston 9905403-444.A00LF 4GB

G Skill Intl F4-4133C19-8GTZR 8GB

G Skill Intl F4-4133C19-8GTZR 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A

Corsair CMSX32GX4M2A2933C19 16GB

Corsair CMSX32GX4M2A2933C19 16GB

Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB

Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB

Kingston CAC24D4S7D8MB-16 16GB

Kingston CAC24D4S7D8MB-16 16GB

AMD R5S38G1601U2S 8GB

AMD R5S38G1601U2S 8GB

Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FDR1 8GB

Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FDR1 8GB

Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB

Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB

Apacer Technology 78.C1GS7.DFW0C 8GB

Apacer Technology 78.C1GS7.DFW0C 8GB

Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB

Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB

DSL Memory CIR-W4SUSS2408G 8GB

DSL Memory CIR-W4SUSS2408G 8GB

Kingston 9905471-001.A01LF 2GB

Kingston 9905471-001.A01LF 2GB

Transcend Information TS512MLH64V4H 4GB

Transcend Information TS512MLH64V4H 4GB

Samsung 1600 CL10 Series 8GB

Samsung 1600 CL10 Series 8GB

Crucial Technology CT32G4DFD8266.M16FB 32GB

Crucial Technology CT32G4DFD8266.M16FB 32GB

Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB

Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB

G Skill Intl F4-3200C15-8GTZSW 8GB

G Skill Intl F4-3200C15-8GTZSW 8GB

AMD AE34G2139U2 4GB

AMD AE34G2139U2 4GB

Crucial Technology BL16G32C16S4B.M16FE1 16GB

Crucial Technology BL16G32C16S4B.M16FE1 16GB

Crucial Technology CT8G48C40U5.M4A1 8GB

Crucial Technology CT8G48C40U5.M4A1 8GB

Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FBR 16GB

Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FBR 16GB