RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB
Porównaj
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB vs Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB
Wynik ogólny
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Wynik ogólny
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
15.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
870.4
11.0
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
60
87
Wokół strony -45% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
5300
Wokół strony 4.83 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
87
60
Prędkość odczytu, GB/s
3,155.6
15.3
Prędkość zapisu, GB/s
870.4
11.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
25600
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
417
2359
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS1GB264D083805EV 1GB
Ramaxel Technology RML1520AG38D6F-667 512MB
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6J1 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
V-Color Technology Inc. TA48G30S815GK 8GB
SK Hynix HMT351S6AFR8C-H9 4GB
SK Hynix HMT351S6CFR8A-PB 4GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Micron Technology AFLD48VH1P 8GB
Kingston 99U5429-014.A00LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4400 C19 Series 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Asgard VMA44UI-MEC1U2AW2 32GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
A-DATA Technology AM2P26KC8T1-BXRS 8GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
V-GEN D4H8GL26A8TS6 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
SK Hynix HMA82GS6AFR8N-UH 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A2 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZA 8GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Corsair CMK128GX4M8X3800C19 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GVKC 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link