TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB vs Samsung M471A4G43BB1-CWE 32GB

Wynik ogólny

TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB

TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB

Wynik ogólny

Samsung M471A4G43BB1-CWE 32GB

Samsung M471A4G43BB1-CWE 32GB

Różnice Specyfikacje Uwagi

Różnice

TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB

Powody do rozważenia
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB

Większa szybkość odczytu, GB/s

3 15

Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s

870.4 14.3

Średnia wartość w badaniach

Samsung M471A4G43BB1-CWE 32GB

Powody do rozważenia
Samsung M471A4G43BB1-CWE 32GB

Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns

70 87

Wokół strony -24% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps

25600 5300

Wokół strony 4.83 większa szerokość pasma

Specyfikacje

Pełna lista specyfikacji technicznych

TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB

Samsung M471A4G43BB1-CWE 32GB

Główna charakterystyka

Typ pamięci

DDR2 DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns

87 70
Prędkość odczytu, GB/s

3,155.6 15.0
Prędkość zapisu, GB/s

870.4 14.3
Szerokość pasma pamięci, mbps

5300 25600

Other

Opis

PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Taktowanie / szybkość zegara

5-5-5-15 / 667 MHz 20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)

417 2519

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Najnowsze porównania

SK Hynix HMT31GR7BFR4C-H9 8GB

SK Hynix HMT31GR7BFR4C-H9 8GB

Kingston 9965669-018.A00G 16GB

Kingston 9965669-018.A00G 16GB

Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB

Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB

Kingston KHX3200C20S4/16G 16GB

Kingston KHX3200C20S4/16G 16GB

Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB

Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB

G Skill Intl F4-3200C16-32GTZR 32GB

G Skill Intl F4-3200C16-32GTZR 32GB

Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB

Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB

Crucial Technology BLT8G4D26AFTA.16FAD 8GB

Crucial Technology BLT8G4D26AFTA.16FAD 8GB

Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB

Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB

G Skill Intl F4-3600C14-16GTZR 16GB

G Skill Intl F4-3600C14-16GTZR 16GB

Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB

Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB

UMAX Technology D4-2133-4GB-512X8-L 4GB

UMAX Technology D4-2133-4GB-512X8-L 4GB

Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB

Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB

Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 4GB 4GB

Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 4GB 4GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240

Kingston KHX2666C16D4/32GX 32GB

Kingston KHX2666C16D4/32GX 32GB

Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB

Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB

Corsair CM4X8GE3000C15K4 8GB

Corsair CM4X8GE3000C15K4 8GB

Samsung M378B5173EB0-CK0 4GB

Samsung M378B5173EB0-CK0 4GB

Carry Technology Co. Ltd. 4DCC3IOGE-MATP 8GB

Carry Technology Co. Ltd. 4DCC3IOGE-MATP 8GB

PNY Electronics PNY 2GB

PNY Electronics PNY 2GB

Apacer Technology 78.BAGMD.AF20B 4GB

Apacer Technology 78.BAGMD.AF20B 4GB

SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB

SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB

Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2400E 8GB

Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2400E 8G

Samsung M3 78T6553CZ3-CD5 512MB

Samsung M3 78T6553CZ3-CD5 512MB

SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MJ-32AA 16GB

SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MJ-32AA 16GB

Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB

Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB

Corsair CMD32GX4M2B3000C15 16GB

Corsair CMD32GX4M2B3000C15 16GB