RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Samsung M471A4G43BB1-CWE 32GB
Porównaj
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB vs Samsung M471A4G43BB1-CWE 32GB
Wynik ogólny
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Wynik ogólny
Samsung M471A4G43BB1-CWE 32GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
15
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
870.4
14.3
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Samsung M471A4G43BB1-CWE 32GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
70
87
Wokół strony -24% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
5300
Wokół strony 4.83 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Samsung M471A4G43BB1-CWE 32GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
87
70
Prędkość odczytu, GB/s
3,155.6
15.0
Prędkość zapisu, GB/s
870.4
14.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
25600
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
417
2519
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS1GB264D083805EV 1GB
Ramaxel Technology RML1520AG38D6F-667 512MB
Samsung M471A4G43BB1-CWE 32GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HMT31GR7BFR4C-H9 8GB
Kingston 9965669-018.A00G 16GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Kingston KHX3200C20S4/16G 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-32GTZR 32GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Crucial Technology BLT8G4D26AFTA.16FAD 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTZR 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
UMAX Technology D4-2133-4GB-512X8-L 4GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 4GB 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston KHX2666C16D4/32GX 32GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Corsair CM4X8GE3000C15K4 8GB
Samsung M378B5173EB0-CK0 4GB
Carry Technology Co. Ltd. 4DCC3IOGE-MATP 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Apacer Technology 78.BAGMD.AF20B 4GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2400E 8G
Samsung M3 78T6553CZ3-CD5 512MB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MJ-32AA 16GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Corsair CMD32GX4M2B3000C15 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link