RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Samsung M474A1G43EB1-CRC 8GB
Porównaj
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB vs Samsung M474A1G43EB1-CRC 8GB
Wynik ogólny
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Wynik ogólny
Samsung M474A1G43EB1-CRC 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
17.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
870.4
13.8
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Samsung M474A1G43EB1-CRC 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
22
87
Wokół strony -295% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
5300
Wokół strony 3.62 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Samsung M474A1G43EB1-CRC 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
87
22
Prędkość odczytu, GB/s
3,155.6
17.2
Prędkość zapisu, GB/s
870.4
13.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
19200
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
417
2989
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS1GB264D083805EV 1GB
Ramaxel Technology RML1520AG38D6F-667 512MB
Samsung M474A1G43EB1-CRC 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
SK Hynix HMA81GS6AFR8N-VK 8GB
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FG 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Samsung M474A1G43EB1-CRC 8GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB
Corsair CM4X32GC3200C16K2E 32GB
Corsair CM4X16GC3200C16K2E 16GB
Kingston ACR16D3LS1NBG/4G 4GB
Samsung M471A5244CB0-CTD 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTRS 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Corsair CMT64GX4M4K3600C16 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZ 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Crucial Technology BL8G26C16U4W.8FD 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Mushkin MRA4S266GHHF32G 32GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Kingston K1CXP8-MIE 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Kingston KV0M5R-MIE 8GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4133 C19 Series 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link