RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-WM 16GB
Porównaj
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB vs SK Hynix HMA82GU6DJR8N-WM 16GB
Wynik ogólny
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-WM 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
14.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
870.4
10.7
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-WM 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
30
87
Wokół strony -190% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
23400
5300
Wokół strony 4.42 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-WM 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
87
30
Prędkość odczytu, GB/s
3,155.6
14.7
Prędkość zapisu, GB/s
870.4
10.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
23400
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-23400, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
19-19-19, 20-20-20, 21-21-21, 22-22-22 / 2933 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
417
2935
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS1GB264D083805EV 1GB
Ramaxel Technology RML1520AG38D6F-667 512MB
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-WM 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Samsung M391A2K43BB1-CPB 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Corsair CMT32GX4M4Z3200C16 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingston 9905625-066.A00G 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Kingston XN205T-MIE2 16GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Corsair CMT64GX4M4C3200C16 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 C17 4GB 4GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
G Skill Intl F4-2400C14-16GVK 16GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Corsair CMT16GX4M2C3200C14 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Essencore Limited IM48GU88A30-FGGHMB 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
G Skill Intl F4-4000C16-8GTZR 8GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FRS 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKO 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Colorful Technology Ltd BAPC08G2666D4S8 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link