RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4000C19A 8GB
Porównaj
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB vs Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4000C19A 8GB
Wynik ogólny
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Wynik ogólny
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4000C19A 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
18
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
870.4
16.5
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4000C19A 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
31
87
Wokół strony -181% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
5300
Wokół strony 4.02 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4000C19A 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
87
31
Prędkość odczytu, GB/s
3,155.6
18.0
Prędkość zapisu, GB/s
870.4
16.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
21300
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
417
3729
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS1GB264D083805EV 1GB
Ramaxel Technology RML1520AG38D6F-667 512MB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4000C19A 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Kingston 9905701-017.A00G 16GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Apacer Technology 78.CAGPL.ARC0B 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Smart Modular SMU4TDC3C0K0464SCG 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Lexar Co Limited LD4AS008G-H2666GST 8GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FE 16GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Corsair CMWB8G1L3200K16W4 8GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Kingston HX424C15FB/16 16GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Kingston 9905622-057.A00G 4GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Mushkin MR[A/B]4U320LLLM16G 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Mushkin 99[2/7/4]208F 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZKW 8GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Gloway International (HK) STK2133C15-8GB 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Avant Technology J642GU42J2320NQ 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link