RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818C-I2PSAAS 8GB
Porównaj
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB vs V-Color Technology Inc. TL8G36818C-I2PSAAS 8GB
Wynik ogólny
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Wynik ogólny
V-Color Technology Inc. TL8G36818C-I2PSAAS 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
20.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
870.4
17.2
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
V-Color Technology Inc. TL8G36818C-I2PSAAS 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
19
87
Wokół strony -358% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
5300
Wokół strony 4.02 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818C-I2PSAAS 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
87
19
Prędkość odczytu, GB/s
3,155.6
20.4
Prędkość zapisu, GB/s
870.4
17.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
21300
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
417
3681
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS1GB264D083805EV 1GB
Ramaxel Technology RML1520AG38D6F-667 512MB
V-Color Technology Inc. TL8G36818C-I2PSAAS 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Apacer Technology 78.D2GFH.4030B 16GB
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FG 4GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GTZ 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C18 Series 16GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Samsung M378A2G43MB1-CTD 16GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H2666G 16GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Apacer Technology 78.C1GMM.AUW0C 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FDD1 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.M16FRS 16GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FBD2 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Kingmax Semiconductor GLLF62F-D8---------- 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M378A2G43BB3-CWE 16GB
Kingston 9905469-144.A00LF 4GB
Corsair CMD16GX4M2K4133C19 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link