RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 4GB 4GB
Porównaj
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB vs Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 4GB 4GB
Wynik ogólny
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Wynik ogólny
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 4GB 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
17
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 4GB 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
23
53
Wokół strony -130% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.9
1,590.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 4GB 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
53
23
Prędkość odczytu, GB/s
3,726.4
17.0
Prędkość zapisu, GB/s
1,590.1
12.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 12 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
522
2938
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB Porównanie pamięci RAM
Swissbit SEU25664D6BC2EP-30 2GB
Micron Technology 9HTF12872JY80EE1D4 1GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 4GB 4GB Porównanie pamięci RAM
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Corsair CMSX32GX4M2A2666C18 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 4GB 4GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GISB 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Elpida EBJ41UF8BCS0-DJ-F 4GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C8FB 16GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GR7MFR4N
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Samsung M471A2G43BB2-CWE 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
King Tiger Technology Tigo-2400MHz-8G 8GB
Kingston KHX2666C16/8G 8GB
Crucial Technology BL8G26C16U4B.8FD 8GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Kingston KHX3200C16D4/32GX 32GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Apacer Technology 78.CAGP7.C7C0B 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKY 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
DSL Memory D4SS12081SH21A-A 4GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Samsung M471A2G43AB2-CWE 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link