RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 4GB 4GB
Porównaj
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB vs Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 4GB 4GB
Wynik ogólny
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Wynik ogólny
Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 4GB 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
17
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 4GB 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
53
Wokół strony -121% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.5
1,590.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 4GB 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
53
24
Prędkość odczytu, GB/s
3,726.4
17.0
Prędkość zapisu, GB/s
1,590.1
13.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 12 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
522
2703
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB Porównanie pamięci RAM
Swissbit SEU25664D6BC2EP-30 2GB
Micron Technology 9HTF12872JY80EE1D4 1GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 4GB 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240082 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 4GB 4GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GFX 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology BLS8G4D240FSBK.8FD 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3866 8GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.M4FF 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Samsung 9905599-020.A00G 16GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Dust Leopard DDR4-2400 CL17 8GB 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSCK.8FD 8GB
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
Intersil HMT351S6EFR8A-PB 4GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKO 16GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FDR2 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GRK 8GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 C16 8GB 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link