RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FE 4GB
Porównaj
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB vs Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FE 4GB
Wynik ogólny
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FE 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
12
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FE 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
53
Wokół strony -121% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
6.6
1,590.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
6400
Wokół strony 3 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FE 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
53
24
Prędkość odczytu, GB/s
3,726.4
12.0
Prędkość zapisu, GB/s
1,590.1
6.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
19200
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
522
1433
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB Porównanie pamięci RAM
Swissbit SEU25664D6BC2EP-30 2GB
Micron Technology 9HTF12872JY80EE1D4 1GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FE 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3600C19-8GVRB 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Corsair CM4X4GD3000C15K4 4GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVSB 8GB
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3A2 8GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTZR 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Micron Technology AFLD48VH1P 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Kingston 9965662-009.A00G 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Kingston KYXC0V-MID 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Kingston K000MD44U 4GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FDD2 8GB
G Skill Intl F3-17000CL9-4GBXLD 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G26662 8GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FHD1 8GB
Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GVKA 8GB
Kingston HX316C10F/8 8GB
Crucial Technology BL8G26C16U4W.8FD 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link