RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FBD1 8GB
Porównaj
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB vs Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FBD1 8GB
Wynik ogólny
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FBD1 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
16.1
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FBD1 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
30
53
Wokół strony -77% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.4
1,590.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
6400
Wokół strony 3 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FBD1 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
53
30
Prędkość odczytu, GB/s
3,726.4
16.1
Prędkość zapisu, GB/s
1,590.1
10.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
19200
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
522
2479
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB Porównanie pamięci RAM
Swissbit SEU25664D6BC2EP-30 2GB
Micron Technology 9HTF12872JY80EE1D4 1GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FBD1 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FA 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZA 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7MMR4N
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-V-V 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Kingston KF2666C15S4/16G 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B1 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.M16FB 32GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
G Skill Intl F4-2800C14-16GVK 16GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Mushkin 99[2/7/4]200F 8GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTRG 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTZRA 16GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G266641 4GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Corsair CMW16GX4M1Z3200C16 16GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
SK Hynix HMA82GR8AMR4N-TF 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link