RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Porównaj
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB vs Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Wynik ogólny
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Wynik ogólny
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
15.6
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
51
53
Wokół strony -4% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.8
1,590.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
6400
Wokół strony 4 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
53
51
Prędkość odczytu, GB/s
3,726.4
15.6
Prędkość zapisu, GB/s
1,590.1
11.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
25600
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
522
2687
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB Porównanie pamięci RAM
Swissbit SEU25664D6BC2EP-30 2GB
Micron Technology 9HTF12872JY80EE1D4 1GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E86-3200 8GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Samsung M386A4G40DM0-CPB 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Avant Technology J641GU42J9266ND 8GB
Nanya Technology M2F2G64CB88B7N-CG 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G26662S 16GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Corsair CMW32GX4M4D3600C16 8GB
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
Kingston 9905630-018.A00G 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C16 Series 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Ramaxel Technology RMSA3300ME78HBF-2666 16GB
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
Crucial Technology BLE4G4D32AEEA.K8FD 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
SK Hynix HMA41GR7MFR8N-TF 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-DA---------- 8GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C20 Series 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO102408-3200 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Corsair CMK16GX4M4B3600C18 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link