RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Samsung M393A2G40DB1-CRC 16GB
Porównaj
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB vs Samsung M393A2G40DB1-CRC 16GB
Wynik ogólny
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Wynik ogólny
Samsung M393A2G40DB1-CRC 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
53
81
Wokół strony 35% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Samsung M393A2G40DB1-CRC 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
8.5
3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
5.6
1,590.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
6400
Wokół strony 3 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Samsung M393A2G40DB1-CRC 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
53
81
Prędkość odczytu, GB/s
3,726.4
8.5
Prędkość zapisu, GB/s
1,590.1
5.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
19200
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
522
1651
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB Porównanie pamięci RAM
Swissbit SEU25664D6BC2EP-30 2GB
Micron Technology 9HTF12872JY80EE1D4 1GB
Samsung M393A2G40DB1-CRC 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FG 4GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
SK Hynix HMA851S6DJR6N-VK 4GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Crucial Technology BL16G32C16U4R.16FE 16GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Kingston 9965589-006.E00G 8GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Samsung M471A1K43CB1-CTD 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1A2 4GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Corsair CMWX8GD3600C18W4 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Kingston KF3600C16D4/8GX 8GB
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
SK Hynix HMAA4GS6CJR8N-XN 32GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Corsair CMK32GX4M2L3000C15 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Mushkin 99[2/7/4]208F 8GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Kingston MSI26D4S9S8HJ-8 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Crucial Technology BLS16G4D30CEST.16FD 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4400C19A 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link