RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
SK Hynix GKE160SO102408-3000 16GB
Porównaj
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB vs SK Hynix GKE160SO102408-3000 16GB
Wynik ogólny
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Wynik ogólny
SK Hynix GKE160SO102408-3000 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
18.6
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
SK Hynix GKE160SO102408-3000 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
53
Wokół strony -89% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.1
1,590.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
6400
Wokół strony 3 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
SK Hynix GKE160SO102408-3000 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
53
28
Prędkość odczytu, GB/s
3,726.4
18.6
Prędkość zapisu, GB/s
1,590.1
15.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
19200
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
522
3552
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB Porównanie pamięci RAM
Swissbit SEU25664D6BC2EP-30 2GB
Micron Technology 9HTF12872JY80EE1D4 1GB
SK Hynix GKE160SO102408-3000 16GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Kingston KHX2666C15S4/16G 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Corsair CM4X16GD3200C16K2E 16GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Transcend Information TS1GLH72V1H 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Kingston 9905713-017.A00G 4GB
Samsung M471B5273DH0-YK0 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Ramaxel Technology RMSA3260ME78HAF-2666 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Avant Technology J644GU44J2320NQ 32GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Kingston HP26D4U9S1ME-4 4GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Apacer Technology GD2.1827CS.003 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
SK Hynix HMA81GS6AFR8N-VK 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B2 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Kingston KHX2400C15D4/4G 4GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Century Micro Inc. CENTURY JAPAN MEMORY 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link