RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.M8FE 16GB
Porównaj
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB vs Crucial Technology CT16G4SFS832A.M8FE 16GB
Wynik ogólny
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT16G4SFS832A.M8FE 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
37
Wokół strony 32% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT16G4SFS832A.M8FE 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
12.7
12.5
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.7
8.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
10600
Wokół strony 2.42 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.M8FE 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
25
37
Prędkość odczytu, GB/s
12.5
12.7
Prędkość zapisu, GB/s
8.4
11.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
25600
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2180
2734
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M378B2873FHS-CH9 1GB
Kingston KHX2666C16/8G 8GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.M8FE 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.M8FE 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Corsair CMK8GX4M2B4200C19 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
ISD Technology Limited IM44GU48A30-GIIHM 4GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3A2 8GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
Kingston KHX3466C19D4/16G 16GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Kingston 9965657-011.A00G 16GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
UMAX Technology D4-3200-16G-1024X8-L 16GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Corsair CMN32GX4M2Z4600C18 16GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS632A.C4FE 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
V-GEN D4S8GL30A8TS5 8GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Micron Technology 16G3200CL22 16GB
SK Hynix HMA81GU6CJR8N-VK 8GB
Samsung M391A2K43BB1-CRC 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0836144B 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link