RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GIS 8GB
Porównaj
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB vs G Skill Intl F4-2666C19-8GIS 8GB
Wynik ogólny
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-2666C19-8GIS 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
30
Wokół strony 17% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-2666C19-8GIS 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.5
12.5
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.8
8.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GIS 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
25
30
Prędkość odczytu, GB/s
12.5
16.5
Prędkość zapisu, GB/s
8.4
12.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2180
3158
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M378B2873FHS-CH9 1GB
Kingston KHX2666C16/8G 8GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GIS 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Hewlett-Packard 7TE39AA#ABC 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Heoriady M471A1K43BB1-CRC 16GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Corsair CMW32GX4M4K4000C19 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Crucial Technology BLE4G4D32AEEA.K8FD 4GB
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M16FR 16GB
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6JJR8N
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FJ 16GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Kingston ACR26D4U9S1KA-4 4GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FD 16GB
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-VK 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.M16FF 32GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Kingston MSI24D4S7S8MB-8 8GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213341 4GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.C8FJ 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link