RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
G Skill Intl F4-2800C14-16GVK 16GB
Porównaj
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB vs G Skill Intl F4-2800C14-16GVK 16GB
Wynik ogólny
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-2800C14-16GVK 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
30
Wokół strony 17% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-2800C14-16GVK 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.6
12.5
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.8
8.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
G Skill Intl F4-2800C14-16GVK 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
25
30
Prędkość odczytu, GB/s
12.5
16.6
Prędkość zapisu, GB/s
8.4
12.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2180
3413
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M378B2873FHS-CH9 1GB
Kingston KHX2666C16/8G 8GB
G Skill Intl F4-2800C14-16GVK 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
G Skill Intl F4-2800C14-16GVK 16GB
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Essencore Limited KD4AGS88C-32N220D 16GB
Crucial Technology CT102464BD160B.M16 8GB
Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZ 8GB
Kingston KHX1600C10D3/8GXF 8GB
Apacer Technology 78.C2GF2.AU00B 8GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
G Skill Intl F4-2666C15-4GVR 4GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Apacer Technology 78.CAGP7.4020B 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G24002S 16GB
Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB
Samsung M471B5773CHS-CH9 2GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZKW 16GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2R1 8GB
SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB
Kingston 9905469-153.A00LF 4GB
Asgard VML41UG-MIC1U22T1 8GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Kingston 99U5624-001.A00G 8GB
Kingston KTC1G-UDIMM 1GB
Crucial Technology BL8G24C16U4B.8FD 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link