RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Kingston KHX2400C15D4/4G 4GB
Porównaj
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB vs Kingston KHX2400C15D4/4G 4GB
Wynik ogólny
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Wynik ogólny
Kingston KHX2400C15D4/4G 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
31
Wokół strony 19% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Kingston KHX2400C15D4/4G 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.9
12.5
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.5
8.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Kingston KHX2400C15D4/4G 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
25
31
Prędkość odczytu, GB/s
12.5
16.9
Prędkość zapisu, GB/s
8.4
12.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2180
2909
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M378B2873FHS-CH9 1GB
Kingston KHX2666C16/8G 8GB
Kingston KHX2400C15D4/4G 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Corsair CMK16GX4M2K4333C19 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL16 4GB 4GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMGD416E82-4400G 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GFX 4GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Samsung M393A2K43BB1-CRC 16GB
Corsair CMX8GX3M2A1600C11 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FN 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GTZRX 16GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Mushkin MR[A/B]4U360JNNM8G 8GB
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FE 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BDAS 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
A-DATA Technology AX4S2800316G18-B 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZR 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link