RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
A-DATA Technology AO1E34RCSV1-BF1S 16GB
Porównaj
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB vs A-DATA Technology AO1E34RCSV1-BF1S 16GB
Wynik ogólny
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology AO1E34RCSV1-BF1S 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
16.8
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
A-DATA Technology AO1E34RCSV1-BF1S 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
57
96
Wokół strony -68% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.7
1,336.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
6400
Wokół strony 4 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
A-DATA Technology AO1E34RCSV1-BF1S 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
96
57
Prędkość odczytu, GB/s
2,725.2
16.8
Prędkość zapisu, GB/s
1,336.0
13.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
25600
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
438
2792
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS1GB264C081805QI 1GB
Micron Technology 16HTF12864AY-40EB1 1GB
A-DATA Technology AO1E34RCSV1-BF1S 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GFX 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRR 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GIS 8GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Netac Technology Co Ltd EKBLACK4083016A 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
G Skill Intl F4-4133C17-8GTZR 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905702-136.A00G 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Corsair CMD32GX4M4C3200C16-R 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4G
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Kingston KF2666C15S4/16G 16GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Corsair CMK16GX4M2B3000C15 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Good Wealth Technology Ltd. KETECH 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMD16GX4M2C3333C16 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
DSL Memory D4SS12082SH21A-A 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX GOC 2016 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link