RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 8GB 8GB
Porównaj
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB vs Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 8GB 8GB
Wynik ogólny
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Wynik ogólny
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 8GB 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
15.9
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 8GB 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
96
Wokół strony -284% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.0
1,336.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 8GB 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
96
25
Prędkość odczytu, GB/s
2,725.2
15.9
Prędkość zapisu, GB/s
1,336.0
12.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 12 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
438
3023
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS1GB264C081805QI 1GB
Micron Technology 16HTF12864AY-40EB1 1GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 8GB 8GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB
Samsung M393B5170EH1-CH9 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Kingston HP26D4S9S8MD-8 8GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16SA/8G 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4133 C19 Series 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Kingston KHX3200C20S4/32GX 32GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Kingston KHX4133C19D4/8GX 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Samsung V-GeN D4S8GL24A8 8GB
Kingston KHX1866C10D3/8GX 8GB
Kingston 9965662-010.A00G 16GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZR 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Panram International Corporation PUD42400C168GVS 8GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Corsair CM4X8GF2666C16K8 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FB 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Corsair CMD64GX4M4B3333C16 16GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Kingston KHX2933C17S4/32G 32GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZR 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link