RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GFT 8GB
Porównaj
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB vs G Skill Intl F4-2400C15-8GFT 8GB
Wynik ogólny
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-2400C15-8GFT 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
16.8
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-2400C15-8GFT 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
34
96
Wokół strony -182% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.2
1,336.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
6400
Wokół strony 3 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GFT 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
96
34
Prędkość odczytu, GB/s
2,725.2
16.8
Prędkość zapisu, GB/s
1,336.0
12.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
19200
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 11 13 14 15
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
438
2987
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS1GB264C081805QI 1GB
Micron Technology 16HTF12864AY-40EB1 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GFT 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMD16GX4M4B3000C15 4GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213341 4GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GVKB 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZA 8GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTZR 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.M8FB 16GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
DSL Memory D4SS12081SH21A-A 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston KP6FH5-MIE 32GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Kingston 9905702-071.A00G 8GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Corsair MK16GX44A2666C16 4GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Essencore Limited KD4AGS88A-26N1600 16GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Corsair CMD32GX4M2B3000C15 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Kingston 9965596-016.B01G 8GB
A-DATA Technology AD5U48008G-B 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTRG 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link