RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GRK 4GB
Porównaj
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB vs G Skill Intl F4-3000C15-4GRK 4GB
Wynik ogólny
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3000C15-4GRK 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
16.5
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3000C15-4GRK 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
32
96
Wokół strony -200% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.1
1,336.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GRK 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
96
32
Prędkość odczytu, GB/s
2,725.2
16.5
Prędkość zapisu, GB/s
1,336.0
12.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
438
3060
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS1GB264C081805QI 1GB
Micron Technology 16HTF12864AY-40EB1 1GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GRK 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZSK 16GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTRG 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTZR 16GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
G Skill Intl F4-4000C14-8GTZR 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GFXR 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Samsung M471A2K43CB1-CTD 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-2666C18-8GTZR 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C16 Series 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
A-DATA Technology AM1P26KC4U1-BACS 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZKK 16GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZNC 16GB
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GVR 8GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXW 16GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZR 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link