RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTRS 16GB
Porównaj
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB vs G Skill Intl F4-3200C16-16GTRS 16GB
Wynik ogólny
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3200C16-16GTRS 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
18
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3200C16-16GTRS 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
96
Wokół strony -231% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.5
1,336.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTRS 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
96
29
Prędkość odczytu, GB/s
2,725.2
18.0
Prędkość zapisu, GB/s
1,336.0
14.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
438
3638
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS1GB264C081805QI 1GB
Micron Technology 16HTF12864AY-40EB1 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTRS 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-2666C19-8GIS 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Crucial Technology BL32G36C16U4BL.M16FB 32GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1B1 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Samsung M471A1A43DB0-CPB 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Transcend Information TS2GSH64V6B 16GB
SK Hynix HMT41GS6BFR8A-PB 8GB
A-DATA Technology AO2P24HCST2-BTCS 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Kingston 9905702-019.A00G 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTRG 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZSWC 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXFB 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Kingston 9905701-010.A00G 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Kingston KDK8NX-MIE 16GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTRS 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G213381S 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link