RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTRS 16GB
Porównaj
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB vs G Skill Intl F4-3200C16-16GTRS 16GB
Wynik ogólny
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3200C16-16GTRS 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
18
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3200C16-16GTRS 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
96
Wokół strony -231% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.5
1,336.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTRS 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
96
29
Prędkość odczytu, GB/s
2,725.2
18.0
Prędkość zapisu, GB/s
1,336.0
14.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
438
3638
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS1GB264C081805QI 1GB
Micron Technology 16HTF12864AY-40EB1 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTRS 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp M378A1K43BB1-CPB 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Corsair CMU16GX4M2D3000C16 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Apacer Technology 78.C1GMM.AUW0C 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GFT 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200D464L22S/16G 16GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
A Force Manufacturing Ltd. UD-01G64V2133P 8GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Netac Technology Co Ltd EKBLACK4083016A 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
UMAX Technology D4-3200-16G-1024X8-L 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXF 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston KH2400C15D4/8 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Kingston 9965669-018.A00G 16GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Crucial Technology BL8G30C15U4R.M8FE1 8GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Corsair CMK32GX4M2D3600C18 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link