RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZKW 8GB
Porównaj
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB vs G Skill Intl F4-3400C16-8GTZKW 8GB
Wynik ogólny
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZKW 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
15.5
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZKW 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
96
Wokół strony -284% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.6
1,336.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZKW 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
96
25
Prędkość odczytu, GB/s
2,725.2
15.5
Prędkość zapisu, GB/s
1,336.0
10.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
438
2910
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS1GB264C081805QI 1GB
Micron Technology 16HTF12864AY-40EB1 1GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZKW 8GB Porównanie pamięci RAM
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Panram International Corporation W4N2400PS-8G 8GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7MFR8N
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3000C16B 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GRS 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Kingston HP24D4S7S8MBP-8 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Kingston KHX3000C15/16GX 16GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C18 Series 16GB
Corsair CMD16GX3M4A2666C11 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FBR2 4GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Panram International Corporation W4U2666P-8G 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2133C8 4GB
Ramaxel Technology RMUA5200MR78HAF-3200 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Kingston KHX3000C15D4/8GX 8GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-4GTZ 4GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Kingston 9905734-063.A00G 32GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Corsair CMK16GX4M2K4266C16 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link