RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTRG 16GB
Porównaj
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB vs G Skill Intl F4-3600C18-16GTRG 16GB
Wynik ogólny
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3600C18-16GTRG 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
18
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3600C18-16GTRG 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
96
Wokół strony -243% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
16.8
1,336.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTRG 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
96
28
Prędkość odczytu, GB/s
2,725.2
18.0
Prędkość zapisu, GB/s
1,336.0
16.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
438
3889
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS1GB264C081805QI 1GB
Micron Technology 16HTF12864AY-40EB1 1GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTRG 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
EVGA 16G-D3-1600-MR 8GB
Asgard VMA45UH-MEC1U2AW2 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Corsair CM4X4GF3000C15K4 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G16002 8GB
Corsair CMW32GX4M2A2666C16 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBR2 4GB
Kingston 99U5403-050.A00LF 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 C17 4GB 4GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Samsung M393A1G43DB1-CRC 8GB
Samsung M378B1G73EB0-CK0 8GB
Kingston KWTHG4-MIE 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTESC 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBD2 8GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FJ 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Crucial Technology BLE16G4D30AEEA.K16FB 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Apacer Technology 78.CAGP7.AZ20B 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Corsair CMK64GX4M4E3200C16 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston KHX2133C14D4/8G 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link