RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXWB 16GB
Porównaj
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB vs G Skill Intl F4-3600C19-16GSXWB 16GB
Wynik ogólny
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXWB 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
17.3
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXWB 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
30
96
Wokół strony -220% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.8
1,336.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXWB 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
96
30
Prędkość odczytu, GB/s
2,725.2
17.3
Prędkość zapisu, GB/s
1,336.0
14.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
438
3544
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS1GB264C081805QI 1GB
Micron Technology 16HTF12864AY-40EB1 1GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXWB 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Samsung M378A4G43AB2-CWE 32GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXK 8GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Corsair CM4X4GF2666Z16K4 4GB
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
Transcend Information TS1GLH64V1H 8GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2400E 8G
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
V-Color Technology Inc. TA48G36S818BN 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3200E16082C 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FAD1 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Samsung M474A2K43BB1-CRC 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C14 4GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FBD 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSBK.8FBD 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology BLT8G4D32AET4K.M8FE1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FN 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link