RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
G Skill Intl F4-4600C18-8GTRS 8GB
Porównaj
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB vs G Skill Intl F4-4600C18-8GTRS 8GB
Wynik ogólny
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-4600C18-8GTRS 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-4600C18-8GTRS 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
21
96
Wokół strony -357% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
21.4
2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
19.6
1,336.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
G Skill Intl F4-4600C18-8GTRS 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
96
21
Prędkość odczytu, GB/s
2,725.2
21.4
Prędkość zapisu, GB/s
1,336.0
19.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
438
4293
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS1GB264C081805QI 1GB
Micron Technology 16HTF12864AY-40EB1 1GB
G Skill Intl F4-4600C18-8GTRS 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
G Skill Intl F4-4600C18-8GTRS 8GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Samsung M471A2G43AB2-CWE 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Avant Technology J642GU42J9266NF 16GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Gloway International (HK) STK2133C15-8GB 8GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
SK Hynix HMAA4GU6AJR8N-XN 32GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3200C16A 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.M8FB 16GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Mushkin MR[A/B]4U320GJJM8G 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Teikon TMA851S6AFR6N-UHHC 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology BL16G30C15U4B.M16FE1 16GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636144B 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZNC 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GVK 4GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Kingmax Semiconductor GLAG43F-18---------- 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link