RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U3000E16081C 8GB
Porównaj
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB vs Gloway International Co. Ltd. TYA4U3000E16081C 8GB
Wynik ogólny
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Wynik ogólny
Gloway International Co. Ltd. TYA4U3000E16081C 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
15.9
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Gloway International Co. Ltd. TYA4U3000E16081C 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
66
96
Wokół strony -45% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
7.9
1,336.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
6400
Wokół strony 3 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U3000E16081C 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
96
66
Prędkość odczytu, GB/s
2,725.2
15.9
Prędkość zapisu, GB/s
1,336.0
7.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
19200
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
438
1877
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS1GB264C081805QI 1GB
Micron Technology 16HTF12864AY-40EB1 1GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U3000E16081C 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Kingston 99U5704-001.A00G 4GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U3000E16081C 8GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
A-DATA Technology AO1P26KCST2-BZISHC 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Kingston XRGM6C-MIB 16GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Apacer Technology 78.BAGM6.40C0B 4GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-2400 8GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Crucial Technology CT4G4SFS8266.C8FE 4GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GTRG 32GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
Kingmax Semiconductor GLLH22F-18KCGA------ 16GB
SK Hynix HMT351S6BFR8C-H9 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZSW 16GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Micron Technology 18ADF2G72PZ-2G3B1 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Kingston KF3733C19D4/16GX 16GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GRK 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKW 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link