RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMGD416E82-4400G 16GB
Porównaj
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB vs Gold Key Technology Co Ltd NMGD416E82-4400G 16GB
Wynik ogólny
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Wynik ogólny
Gold Key Technology Co Ltd NMGD416E82-4400G 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
17.6
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Gold Key Technology Co Ltd NMGD416E82-4400G 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
96
Wokół strony -256% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
17.4
1,336.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
6400
Wokół strony 3.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMGD416E82-4400G 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
96
27
Prędkość odczytu, GB/s
2,725.2
17.6
Prędkość zapisu, GB/s
1,336.0
17.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
21300
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
438
3845
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS1GB264C081805QI 1GB
Micron Technology 16HTF12864AY-40EB1 1GB
Gold Key Technology Co Ltd NMGD416E82-4400G 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston KF552C40-16 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZRX 16GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR4N
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Corsair CMSX64GX4M4A2666C18 16GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Crucial Technology CT51264BA160B.C16F 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVS 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Corsair CM4B8G1L2666A18S4 8GB
SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB
Apacer Technology 78.B1GM3.C7W0B 4GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
A-DATA Technology AO2P24HCST2-BTVS 16GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-lnd-2133 8GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GTRG 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Kingston 9965596-019.B01G 4GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8C-RD 8GB
Gloway International Co. Ltd. STK4U2400D17082C 8GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BXGSHC 8GB
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Samsung M393A2K40CB2-CTD 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link