RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
HT Micron HTH5AN8G8NCJR-VKD 8GB
Porównaj
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB vs HT Micron HTH5AN8G8NCJR-VKD 8GB
Wynik ogólny
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Wynik ogólny
HT Micron HTH5AN8G8NCJR-VKD 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
15.7
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
HT Micron HTH5AN8G8NCJR-VKD 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
31
96
Wokół strony -210% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.5
1,336.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
6400
Wokół strony 3.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
HT Micron HTH5AN8G8NCJR-VKD 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
96
31
Prędkość odczytu, GB/s
2,725.2
15.7
Prędkość zapisu, GB/s
1,336.0
9.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
21300
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
438
2713
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS1GB264C081805QI 1GB
Micron Technology 16HTF12864AY-40EB1 1GB
HT Micron HTH5AN8G8NCJR-VKD 8GB Porównanie pamięci RAM
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
HT Micron HTH5AN8G8NCJR-VKD 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Golden Empire CL15-17-17 D4-3000 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Ramaxel Technology RMSA3270MB86H9F2400 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology CT8G4SFS832A.C8FP 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.16FE 16GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Samsung M378A2G43MB1-CTD 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6AFR8N
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
DSL Memory D4SS1G082SH21A-B 16GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-4266C17-8GTZR 8GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Samsung M471A1G43EB1-CPB 8GB
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Corsair CM4X16GE2400C16S4 16GB
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Corsair CMD128GX4M8A2400C14 16GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Kingston 99U5663-003.A00G 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link