RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Kingston 99U5663-001.A00G 16GB
Porównaj
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB vs Kingston 99U5663-001.A00G 16GB
Wynik ogólny
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Wynik ogólny
Kingston 99U5663-001.A00G 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
13.3
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Kingston 99U5663-001.A00G 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
33
96
Wokół strony -191% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.1
1,336.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
6400
Wokół strony 3 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Kingston 99U5663-001.A00G 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
96
33
Prędkość odczytu, GB/s
2,725.2
13.3
Prędkość zapisu, GB/s
1,336.0
9.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
19200
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
438
2209
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS1GB264C081805QI 1GB
Micron Technology 16HTF12864AY-40EB1 1GB
Kingston 99U5663-001.A00G 16GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Kingston KTD3KX-MIB 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Corsair CMD128GX4M8B3200C16 16GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6AFR8N
Crucial Technology CT102464BD160B.M16 8GB
Corsair CMD16GX4M2B3200C16 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Kingston KF2933C17S4/32G 32GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Smart Modular SF4641G8CK8IWGKSEG 8GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZA 8GB
Kingston KF548C38-16 16GB
Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
SK Hynix HMA41GR7MFR4N-TFTD 8GB
SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB
A-DATA Technology AM1P24HC4R1-BUNS 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Kingston HP37D4U1S8ME-16X 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FN 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Shenzhen Chuangshifeida Technology DERLER 16GB2666MHz 1
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link