RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Micron Technology 18ADF2G72PZ-2G3B1 16GB
Porównaj
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB vs Micron Technology 18ADF2G72PZ-2G3B1 16GB
Wynik ogólny
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Wynik ogólny
Micron Technology 18ADF2G72PZ-2G3B1 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
11.8
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Micron Technology 18ADF2G72PZ-2G3B1 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
32
96
Wokół strony -200% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.7
1,336.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
6400
Wokół strony 3 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Micron Technology 18ADF2G72PZ-2G3B1 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
96
32
Prędkość odczytu, GB/s
2,725.2
11.8
Prędkość zapisu, GB/s
1,336.0
8.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
19200
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
438
2585
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS1GB264C081805QI 1GB
Micron Technology 16HTF12864AY-40EB1 1GB
Micron Technology 18ADF2G72PZ-2G3B1 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Crucial Technology BL32G32C16S4B.16FB 32GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-3600C18A 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Kingston 9905711-015.A00G 4GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Apacer Technology 78.C1GQ5.C7C0B 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E1 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Samsung M471A1K43CB1-CRCR 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB528528266
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
Micron Technology 36ASF2G72LZ-2G1A1 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Kingston 99U5643-001.A00G 8GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Corsair CMK16GX4M2Z4000C18 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FA11 8GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Kingston KF2933C17S4/16G 16GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Corsair CMK16GX4M4A2133C13 4GB
Kingston KF560C40-16 16GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818D-E6PRWWK 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link